BSP125H6327XTSA1 vs IRLL024ZTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور IRLL024ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSP125H6327XTSA1 | IRLL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (trench-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| پیکیج | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | SOT-223 (TO-261-4) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (Unlimited) | 1 (unlimited floor life) |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | — |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 55 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±16 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 60 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 1 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55 °C to +150 °C |