BSP149H6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP149H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS214NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 - 200V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP149H6327XTSA1 - 200V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP149H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP149H6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N-Channel —
Mode of Operation Depletion Mode (normally ON) —
Drain-Source Voltage VDS 200 V —
Continuous Drain Current ID 660 mA (Ta) —
Power Dissipation PD 1.8 W (Ta) —
On-State Resistance RDS(on) 1 ohm (typ) —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-4) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C (Tj) —
Technology SIPMOS OptiMOS 2 (planar N-channel)
Channel Count 1 —
پن کی تعداد 4 (G, D, S, tab) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں