BSS806NH6327XTSA1 vs BSS306NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS806NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS306NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS806NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) —
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) —
پیکیج PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free plating) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں