BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ018NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ011NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ018NE2LSIATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSZ018NE2LSIATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 69 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | -55°C to +150°C |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) | OptiMOS 5 (Trench) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| MSL لیول | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ہیلوجن فری | — | Yes |