BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ018NE2LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ036NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ018NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ036NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C
MSL لیول 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Gate Drive Logic-level compatible —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (TA) — 23 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 69 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں