BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ096N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ 9.6 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel N-Channel
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (junction)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — 20 V (typical)
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) — 40 A
Maximum Silicon Drain Current (ID max) — 62 A
Pulse Drain Current (ID,pulse) — 160 A
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (low single-volt range)
Diode Continuous Forward Current (IS) — 40 A (TC=25 °C)
Diode Forward Voltage (VSD) — 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A
Gate Drive — Logic-level compatible
ESD Protection — Yes (gate-integrated)
Packaging Code — ATMA1 (tape and reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں