BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ110N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSZ096N10LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ 9.6 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel N-Channel
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (junction)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS max) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — 20 V (typical)
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) — 40 A
Maximum Silicon Drain Current (ID max) — 62 A
Pulse Drain Current (ID,pulse) — 160 A
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (low single-volt range)
Diode Continuous Forward Current (IS) — 40 A (TC=25 °C)
Diode Forward Voltage (VSD) — 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A
Gate Drive — Logic-level compatible
ESD Protection — Yes (gate-integrated)
Packaging Code — ATMA1 (tape and reel)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت