CGD65A055SH2 vs CGD65A055S2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65A055SH2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65A055S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Cambridge GaN Devices
CGD65A055SH2 CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CGD65A055SH2 CGD65A055S2
برانڈ Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
زمرہ MOSFETs Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel Single FET
Transistor Technology Gallium Nitride (GaN-on-Si HEMT) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 27 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ (typical, per family designation) —
RDS(on) at specified ID/VGS 77 mΩ at 2.2 A, VGS=12 V (per distributor data) —
Gate Charge (Qg) 4 nC at VGS=12 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Recommended 12 V —
Integrated Features ICeGaN® Gate, Current Sense, NL³ Circuit —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
پیکیج 16-DFN (8x8 mm) 16-pin DFN 8x8 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
ماؤنٹنگ اسٹائل SMD/SMT —
Application Target AC-DC PFC, server SMPS, EV charging, motor drive —
RoHS / Lead-Free RoHS Compliant, Lead-Free (per distributor listing) —
Manufacturer — Cambridge GaN Devices
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 27 A
Gate Technology — ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
RoHS اسٹیٹس — Compliant (lead-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں