CGD65A055SH2 vs CGD65A055S2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CGD65A055SH2 מאת Cambridge GaN Devices ו CGD65A055S2 מאת Cambridge GaN Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Cambridge GaN Devices
CGD65A055SH2 CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CGD65A055SH2 CGD65A055S2
מותג Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
קטגוריה MOSFETs Transistors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel Single FET
Transistor Technology Gallium Nitride (GaN-on-Si HEMT) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 27 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ (typical, per family designation) —
RDS(on) at specified ID/VGS 77 mΩ at 2.2 A, VGS=12 V (per distributor data) —
Gate Charge (Qg) 4 nC at VGS=12 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Recommended 12 V —
Integrated Features ICeGaN® Gate, Current Sense, NL³ Circuit —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
מארז 16-DFN (8x8 mm) 16-pin DFN 8x8 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C —
סגנון הרכבה SMD/SMT —
Application Target AC-DC PFC, server SMPS, EV charging, motor drive —
RoHS / Lead-Free RoHS Compliant, Lead-Free (per distributor listing) —
Manufacturer — Cambridge GaN Devices
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) — 27 A
Gate Technology — ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
סטטוס RoHS — Compliant (lead-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר