CGD65A055SH2 vs CGD65A055S2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CGD65A055SH2 توسط Cambridge GaN Devices و CGD65A055S2 توسط Cambridge GaN Devices. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Cambridge GaN Devices
CGD65A055SH2 CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر CGD65A055SH2 CGD65A055S2
برند Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
دسته‌بندی MOSFETs Transistors
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel Single FET
Transistor Technology Gallium Nitride (GaN-on-Si HEMT) —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 27 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ (typical, per family designation) —
RDS(on) at specified ID/VGS 77 mΩ at 2.2 A, VGS=12 V (per distributor data) —
Gate Charge (Qg) 4 nC at VGS=12 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Recommended 12 V —
Integrated Features ICeGaN® Gate, Current Sense, NL³ Circuit —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
بسته‌بندی 16-DFN (8x8 mm) 16-pin DFN 8x8 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C —
سبک نصب SMD/SMT —
Application Target AC-DC PFC, server SMPS, EV charging, motor drive —
RoHS / Lead-Free RoHS Compliant, Lead-Free (per distributor listing) —
Manufacturer — Cambridge GaN Devices
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
جریان پیوسته درین (TC=25°C) — 27 A
Gate Technology — ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
وضعیت RoHS — Compliant (lead-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت