EPF10K200EBI600-2N vs EPF10K250EBI600-3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از EPF10K200EBI600-2N بذریعہ Intel اور EPF10K250EBI600-3 بذریعہ Intel. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Intel
EPF10K250EBI600-3 - 250K Gates FLEX 10KE FPGA, 600-BGA | Intel
EPF10K250EBI600-3 ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | EPF10K200EBI600-2N | EPF10K250EBI600-3 |
|---|---|---|
| برانڈ | Intel | Intel |
| زمرہ | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| لائف سائیکل کی حالت | Obsolete | آخری بار خریداری |
| Family | FLEX 10KE | FLEX 10KE |
| Typical Gates | 200,000 | — |
| Maximum System Gates | 513,000 | — |
| Logic Elements (LEs) | 9,984 | — |
| Embedded Array Blocks (EABs) | 12 | — |
| Total RAM Bits | 98,304 | — |
| User I/O Pins | 470 | — |
| Dedicated Inputs | 6 | 4 |
| پیکیج | 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch) | 600-ball BGA (HBGA) |
| Technology / Process | 0.22 µm CMOS SRAM | — |
| Core Supply Voltage | 2.5 V (2.3 V to 2.7 V) | — |
| I/O Supply Voltage | 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available) | — |
| Propagation Delay | 0.4 ns to 0.6 ns (per LE) | — |
| Maximum Internal Frequency | 200 MHz | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 °C to +70 °C (commercial) | Industrial, 0C to +85C [DATA_NEEDED: confirm -40C to +85C range] |
| Configuration Method | SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM | SRAM, requires external configuration device (EPC series) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Not specified (SnPb / tin-lead finish per legacy distributor listing) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Logic Elements | — | 12,160 |
| Typical Gate Count | — | 250,000 system gates |
| Embedded System Blocks (ESBs) | — | 12 |
| Maximum User I/O | — | 470 |
| PLLs | — | 4 |
| On-chip RAM | — | Up to 40 Kbits |
| Ball Pitch | — | 1.93 mm |
| Core Voltage | — | 2.3 V (FLEX 10KE standard) [DATA_NEEDED: confirm exact VCCINT] |
| Speed Grade | — | -3 (fastest) |
| Process Technology | — | 0.22 µm CMOS, 4-layer metal |
| Lead-free | — | no (legacy tin-lead per distributor description) |