H5AN8G6NDJR-XNC vs MT40A512M16JY-075E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix اور MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NDJR-XNC MT40A512M16JY-075E
برانڈ SK hynix Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $55.68 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x16 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) —
پیکیج FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (8x14)
Number of Terminals 96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
تنظیم — 512M x 16
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
انٹرفیس — Parallel
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
خصوصیات — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں