H5AN8G6NDJR-XNC vs MT40A512M16JY-075E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NDJR-XNC מאת SK hynix ו MT40A512M16JY-075E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NDJR-XNC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $55.68 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| מארז | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ממשק | — | Parallel |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| תכונות | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |