H5TC4G63CFR-PBL vs H5TC4G63MFR-PBA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63CFR-PBL بذریعہ SK hynix اور H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63MFR-PBA
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
میموری سائز 4 Gb (256M x 16) —
سپلائی وولٹیج 1.35 V —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps (PC3L-12800) 1866 Mbps (PC3L-14900)
پیکیج 96-ball FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Form BALL —
Burst Length 8 BL8, BL4 (with burst chop)
CAS لیٹنسی 11, 12, 13 —
Number of Banks 8 8
Refresh Period 7.8 us at 85C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Density — 4 Gb
تنظیم — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں