IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N015GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
پیکیج PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں