IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N015GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
بسته‌بندی PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 qualified
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت