IAUCN08S7L110ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7L110ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7L033ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 - 80V 11mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L110ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 50 A —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) 58 W —
R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) 11 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS_max] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V_GS_th] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Q_G_total] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ (Trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 expected per family) —
Polarity Single N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (TJ)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں