IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7N024ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S7L290TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN10S7L290TATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (typical automotive) —
پاور ڈسپیشن (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q100 qualified
RoHS Compliance Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Product Family — OptiMOS™ 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 27 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 28.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 45 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
ESD Protection — HBM Class 1C (per Infineon datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں