IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN10S7L290TATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7N024ATMA1 bằng Infineon và IAUCN10S7L290TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUCN10S7L290TATMA1 - 100V 27A OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7L290TATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN08S7N024ATMA1 | IAUCN10S7L290TATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 (80 V) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 165 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 2.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (typical automotive) | — |
| Tiêu hao điện năng (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q100 qualified |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Typical Application | 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 7 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 27 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 28.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 45 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| ESD Protection | — | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) |