IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZN08S7L177ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L042GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
پیکیج PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Polarity N-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 40V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں