IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN08S7L177ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L042GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZN08S7L177ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
العلبة PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Polarity N-Channel —
درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Lead-Free Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 7 40V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر