IGB50N60T vs IGB50N60TATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGB50N60T بذریعہ Infineon اور IGB50N60TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IGB50N60T | IGB50N60TATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | IGBTs | IGBTs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Collector-Emitter Voltage (VCES) | 600 V | 600 V |
| Continuous DC Collector Current (IC, TC=100°C) | 50 A | — |
| Pulsed Collector Current (ICM, tp limited by Tjmax) | 150 A | 150 A |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th), IC=1.2 mA, VCE=VGE) | 5.0 V (typical), 4.5 V min / 6.5 V max | — |
| Gate-Emitter Voltage Maximum (VGES) | ±20 V | — |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat), IC=50 A, VGE=15 V) | [DATA_NEEDED: VCE(sat) exact value] | — |
| Zero-Temperature-Coefficient Point (IC at VCE(sat) nominal) | [DATA_NEEDED: IC nominal] | — |
| Turn-on Switching Energy (Eon) | [DATA_NEEDED: Eon value] | — |
| Turn-off Switching Energy (Eoff) | [DATA_NEEDED: Eoff value] | — |
| Total Switching Energy (Ets, VCC=400 V, IC=25 A, VGE=±15 V) | 1.7 mJ (typical) | — |
| Short-Circuit Withstand Time (tsc, VCC=360 V, VGE=±15 V, TC=25°C) | 10 µs (typical) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج | -40 °C to +150 °C | — |
| Storage Temperature Range | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TO263-3-2 (TO-263 / D2Pak, surface mount) | PG-TO263-3-2 (D2PAK / TO-263) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (D2Pak tab acts as drain/collector) | Surface Mount |
| Technology Family | TRENCHSTOP IGBT3 with fieldstop and co-packaged soft-recovery emitter-controlled diode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | Trenchstop IGBT3 |
| Technology | — | Trench + Field-Stop |
| Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C | — | 100 A |
| Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C | — | 50 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | — | 333 W |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) | — | 5.0 V (typ), 6.5 V (max) |
| کلیکٹر-ایمیٹر سیچوریشن وولٹیج (Vce(sat)) | — | 1.5 V (typ at VGE=15V, IC=50A, TJ=25°C) |
| Short-Circuit Withstand Time (tsc) | — | 5 µs min at VCE=360V, TJ≤150°C |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -40 °C to +150 °C |
| Co-packaged Diode | — | Anti-parallel EmCon3 diode |
| MSL لیول | — | 1 |
| Configuration | — | Single |