IGLD60R070D1AUMA3 vs GAN111-650WSB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLD60R070D1AUMA3 بذریعہ Infineon اور GAN111-650WSB بذریعہ Nexperia. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nexperia
GAN111-650WSB GAN111-650WSB - 650V 97mΩ GaN FET TO-247 | Nexperia

GAN111-650WSB - 650V 97mΩ GaN FET TO-247 | Nexperia

GAN111-650WSB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLD60R070D1AUMA3 GAN111-650WSB
برانڈ Infineon Nexperia
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) GaN HEMT H2 (cascode, normally-off)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 15 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 114 W —
On-Resistance (RDS(on)) 70 mΩ (typical, VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Output Charge (Qoss) [DATA_NEEDED: Qoss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN technology) —
Input Capacitance (Ciss) 380 pF @ 400 V (per Utmel) —
پیکیج PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad) TO-247 (SOT429) through-hole, 3-lead
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
MSL لیول 3 —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Operating Temperature (Tj) [DATA_NEEDED: Tj max] —
Series CoolGaN™ —
Polarity N-Channel —
Packaging Tape & Reel —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — Nexperia
On-Resistance RDS(on) (typ) — 97 mΩ
Continuous Drain Current (ID, at Ta) — 21 A
Power Dissipation (PD, at Ta) — 107 W
Polarity / Channel Type — N-Channel
Configuration — Single FET
Gate Drive Compatibility — Standard silicon MOSFET gate drive (0-12 V typical)
Operating Mode — Normally-off (cascode)
Target Applications — SMPS, PFC, OBC, solar inverter, industrial drives
Orderable Part Suffix — WSBQ (tape-and-reel/ammopack)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں