IMLT65R040M2HXTMA1 vs AIMBG120R010M1XTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IMLT65R040M2HXTMA1 بذریعہ Infineon اور AIMBG120R010M1XTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
AIMBG120R010M1XTMA1 AIMBG120R010M1XTMA1 - 1200V 205A 8.7mΩ SiC MOSFET | Infineon

AIMBG120R010M1XTMA1 - 1200V 205A 8.7mΩ SiC MOSFET | Infineon

AIMBG120R010M1XTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IMLT65R040M2HXTMA1 AIMBG120R010M1XTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) CoolSiC™ G1 Automotive SiC Trench MOSFET
Technology Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 1200 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 57 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 143 A —
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) 40 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) 49 mΩ —
Total Gate Charge QG 28 nC —
Output Charge QOSS @ 400 V 53 nC —
Output Energy EOSS @ 400 V 7.2 µJ —
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) 268 W —
Recommended Gate Drive Voltage VGS 18 V (turn-off: 0 V or negative) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C -55°C to +175°C
پیکیج PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) PG-TO263-7 (TO-263-7 / D2PAK-7) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Packaging Tape & Reel —
Special Features Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized —
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 205 A
On-Resistance RDS(on), typ — 8.7 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 882 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
پن کی تعداد — 7 + Tab
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں