IPB017N10N5LFATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB017N10N5LFATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB017N10N5LFATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 180 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ TC=25C | 313 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=10V | 1.7 mΩ (max) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| پیکیج / کیس | PG-TO263-7 (D2PAK-7), surface mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Linear-Mode (SOA) Optimized | Yes (OptiMOS Linear FET) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | — | 83 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| ہیلوجن فری | — | Yes |