IPB031N08N5ATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB031N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB020N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB031N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) Max 167 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 3.1 mOhm (VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK-2)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source + Tab) —
Tab Connection Drain (electrically connected to pin) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualified Yes (per Arrow listing) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V — 2.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W]
Avalanche Energy Rated (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]
Configuration — Single N-channel, 3-pin (2+Tab)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں