IPB120P04P404ATMA1 vs IPB120P04P404ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB120P04P404ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB120P04P404ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB120P04P404ATMA2 - 40V P-Channel 120A OptiMOS MOSFET | Infineon
IPB120P04P404ATMA2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB120P04P404ATMA1 | IPB120P04P404ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), Enhancement Mode, OptiMOS-P2 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3.5 mΩ at VGS = -10 V, ID = -100 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -4 V at ID = -340 µA (max) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 205 nC at VGS = -10 V | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 14.79 nF at 25 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 78 mJ | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK), 3-pin (2 + tab), surface mount | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| MSL لیول | MSL1 (260 °C peak reflow) | — |
| AEC-Q100/101 Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100 % avalanche tested | — |
| RoHS / Green | Green package, RoHS compliant | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (D2PAK, exposed tab) | Surface Mount |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPB120P04P404ATMA2 |
| Series | — | OptiMOS-P2 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 120 A |
| On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V, ID=-100A | — | 3.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=-10V | — | 205 nC |
| Input Capacitance (Ciss) @ VDS=25V | — | 14,790 pF |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 136 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| پن کی تعداد | — | 3 (Tab + 2 Leads) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |