IPB70N10S3L12ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB70N10S3L12ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB70N10S3L12ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 70 A —
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 125 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Peak Reflow Temperature 260°C (JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Tested 100% tested 100 % Avalanche Tested
RoHS / Green Compliance Compliant (Green product) —
Technology OptiMOS-T trench —
Polarity N-Channel Enhancement Mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
پیکیج / کیس — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں