IPB70N10S3L12ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB70N10S3L12ATMA2 توسط Infineon و IPB70N10S3L12ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 - 100V 70A N-Ch MOSFET, 11.8mΩ | Infineon

IPB70N10S3L12ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB70N10S3L12ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 70 A —
R<sub>DS(on)</sub> (Max) @ V<sub>GS</sub>=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 125 W —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: V<sub>GS(th)</sub> typical/min/max] —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
Peak Reflow Temperature 260°C (JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Tested 100% tested 100 % Avalanche Tested
RoHS / Green Compliance Compliant (Green product) —
Technology OptiMOS-T trench —
Polarity N-Channel Enhancement Mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی / کیس — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت