IPC100N04S52R8ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC100N04S52R8ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L030HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 - 40V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1 - 40V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPC100N04S52R8ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.8 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 75 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per part number suffix)
Avalanche Tested 100% (per Infineon standard) —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں