IPC100N04S52R8ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPC100N04S52R8ATMA1 توسط Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 - 40V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1 - 40V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPC100N04S52R8ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPC100N04S52R8ATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100C) [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.8 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 75 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55 C to +175 C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (260C peak reflow) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per part number suffix)
Avalanche Tested 100% (per Infineon standard) —
RoHS / Green Product Yes (RoHS compliant) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت