IPD35N10S3L26ATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD35N10S3L26ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD30N10S3L34ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD35N10S3L26ATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD35N10S3L26ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) | OptiMOS-T (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 35 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 26 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V | — |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 71 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Green product (halogen-free) | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 180 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 57 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 31 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | — | 2.4 V |
| Total Gate Charge (Qg) max | — | 31 nC |
| Package / Supplier Device Package | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Pin / Tab Count | — | 3 (2 + Tab) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |