IPD90N06S407ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90N06S407ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD30N06S2L13ATMA4 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD90N06S407ATMA2 IPD30N06S2L13ATMA4
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D at T_C) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A 6.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 4 V at 40 uA —
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V 56 nC —
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) 79 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Green Product) Yes (Green Package)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 C peak reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS
Channel Type — N-Channel
Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C (Tj)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
Technology — Planar (OptiMOS)
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
پن کی تعداد — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں