IPG20N04S4L08ATMA1 vs IPG20N04S4L08AATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L08ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N04S4L08AATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N04S4L08ATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N04S4L08ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) Dual N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20 A —
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A 8.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 54 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج / کیس PG-TDSON-8-4 (TDSON-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101 —
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) —
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Part Status Active —
Technology — OptiMOS-T2 (Logic Level)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 20 A (per channel)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ — 1.7 V
Gate Drive (Logic Level) — 4.5 V
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 54 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
پیکیج — PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
AEC-Q101 Qualification — Yes
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Rated — Yes (100% tested)
RoHS / REACH — Compliant (Green Product)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں