IPN70R2K0P7SATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN70R2K0P7SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R1K0PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPN70R2K0P7SATMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 6 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typical) | ±20 V (max gate-source) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±20 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (TJ) |
| پیکیج | PG-SOT223 (3 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated ESD Diode | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (ROHS3) | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |
| Series | — | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |