IPN80R1K4P7ATMA1 vs IPN80R1K2P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN80R1K2P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 - 800V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN80R1K4P7ATMA1 - 800V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN80R1K4P7ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 1.2Ω N-MOSFET | Infineon

IPN80R1K2P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 1.2Ω N-MOSFET | Infineon

IPN80R1K2P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (500V-950V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 4 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 1200 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (CoolMOS)
پیکیج PG-SOT223 (surface mount) SOT-223 (3-pin, 2 + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +150°C (TJ)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Grade Industrial —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Family / Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage VDSS — 800 V
Continuous Drain Current ID (Tc) — 4.5 A
Maximum RDS(on) — 1200 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation PD (Tc) — 6.8 W
Gate-Source Voltage VGSS — [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
ESD Protection — ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family)
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں