IPP100N12S305AKSA2 vs IPP60R180P7XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP100N12S305AKSA2 بذریعہ Infineon اور IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP100N12S305AKSA2 IPP60R180P7XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 3.5 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ) -55 °C to +150 °C
پیکیج PG-TO220-3-1 (Through Hole) PG-TO220-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول N/A (Through Hole) N/A (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes
Technology — CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
پنز کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں