IPP100N12S305AKSA2 vs IPP60R180P7XKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP100N12S305AKSA2 توسط Infineon و IPP60R180P7XKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP100N12S305AKSA2 IPP60R180P7XKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 3.5 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (TJ) -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی PG-TO220-3-1 (Through Hole) PG-TO220-3 (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL N/A (Through Hole) N/A (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) Yes
Technology — CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 18 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 180 mΩ
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V]
Power Dissipation PD at TC=25°C — 72 W
تعداد پین‌ها — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت