IPP100N12S305AKSA2 vs IPP60R180P7XKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPP100N12S305AKSA2 bằng Infineon và IPP60R180P7XKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon
IPP60R180P7XKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPP100N12S305AKSA2 | IPP60R180P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 3.5 V |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Hộp | PG-TO220-3-1 (Through Hole) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | N/A (Through Hole) | N/A (through-hole) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | Yes |
| Technology | — | CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] |
| Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 72 W |
| Số lượng chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free | — | Yes |