IPT012N08N5ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT012N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUT300N08S5N011ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 - 80V 300A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPT012N08N5ATMA1 - 80V 300A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPT012N08N5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT012N08N5ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT012N08N5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.2 mOhm —
Total Gate Charge QG 208 nC —
Gate-to-Drain Charge QGD 178 nC —
Power Dissipation (PD, TC) 375 W —
پیکیج PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Qualification JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) Automotive (AEC-Q101)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 300 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 410 A (Tj)
R_DS(on) max — 1.10 mOhm at V_GS=10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.8 V
Total Gate Charge (Q_g) — 231 nC at V_GS=10 V
Input Capacitance (C_iss) — 16.25 nF
Output Capacitance (C_oss) — 2.6 nF
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) — 130 pF
Power Dissipation (P_D) — 375 W at T_C=25C
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں