IPT012N08N5ATMA1 vs IAUT300N08S5N011ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT012N08N5ATMA1 מאת Infineon ו IAUT300N08S5N011ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPT012N08N5ATMA1 | IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPT012N08N5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (trench MOSFET) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.2 mOhm | — |
| Total Gate Charge QG | 208 nC | — |
| Gate-to-Drain Charge QGD | 178 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 375 W | — |
| מארז | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (TJ max) | -55C to +175C |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Qualification | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) | Automotive (AEC-Q101) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 410 A (Tj) |
| R_DS(on) max | — | 1.10 mOhm at V_GS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 231 nC at V_GS=10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 16.25 nF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 2.6 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | — | 130 pF |
| Power Dissipation (P_D) | — | 375 W at T_C=25C |
| רמת MSL | — | 1 |