IPW60R037P7XKSA1 vs IPL65R200CFD7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R037P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPL65R200CFD7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ فعال
Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R037P7XKSA1 IPL65R200CFD7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 CoolMOS CFD7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) PG-VSON-4
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS Superjunction (SJ)
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 14 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 81 W
On-Resistance (RDS(on)) — 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg value]
Body Diode — Fast-recovery intrinsic
Gate-Source ESD Protection — Yes (integrated)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں