IRF1010ZSTRLPBF vs IRF1010ESTRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1010ZSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF1010ESTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF1010ZSTRLPBF | IRF1010ESTRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement | Enhancement |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 75 A at Tc | — |
| Continuous Drain Current (Id, distributor listing) | 94 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 7.5 mOhm | — |
| RDS(on) (alternate condition) | 14.0 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 63 nC | 86.6 nC |
| Power Dissipation (Pd) | 140 W at Tc | — |
| Junction Operating Temperature | 175 C (max) | — |
| پیکیج | D2PAK (TO-263), Surface Mount | D2PAK (TO-263) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Advanced Process Technology | HEXFET planar |
| Avalanche Rating | Improved repetitive avalanche rating | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage] | — |
| RoHS اسٹیٹس | RoHS3 Compliant (PBF lead-free suffix) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 84 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 200 W |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | — | 12 mOhm |
| Drive Voltage | — | 10 V (standard level) |
| Qualification | — | JEDEC standard qualified |
| Structure | — | Planar cell (wide SOA) |
| Avalanche Testing | — | 100% avalanche energy tested |
| Sourcing | — | Multi-vendor, broad distribution availability |
| Pb-Free / RoHS | — | PBF (Pb-free) suffix |