IRF150P220AKMA1 vs IRFP2907PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF150P220AKMA1 بذریعہ Infineon اور IRFP2907PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF150P220AKMA1 IRFP2907PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF150P220AKMA1 IRFP2907PBF
Technology StrongIRFET HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 203 A —
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V 2.7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 556 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-247-3 (PG-TO247-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole —
Terminal Finish Tin (Sn) —
JESD-609 Code e3 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں