IRF4905STRRPBF vs IRF4905SPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905STRRPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905SPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF4905STRRPBF | IRF4905SPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | -2.0 V to -4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 120 nC (typical per Mouser listing) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263) surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET, planar cell |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | -42 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 20 mOhm @ VGS = -10V |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 170 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Qualification | — | JEDEC standard |