IRF640NPBF vs IRF2805PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF640NPBF بذریعہ Infineon اور IRF2805PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF640NPBF | IRF2805PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | 75 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 150 nC |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement Mode | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-220AB (3-pin, through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF2805PBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 175 A (pulsed / package-limited) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 330 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |