IRF7103TRPBF vs IRF7854TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7103TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7103TRPBF IRF7854TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $0.48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7103TRPBF —
FET Type Dual N-Channel N-Channel
Configuration Common Source, Dual Die —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-Resistance RDS(on) max 130 mOhm @ VGS=10V —
On-Resistance RDS(on) typ 0.11 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C (TJ)
پیکیج SO-8 (PG-DSO-8-902) SO-8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) HEXFET (planar N-channel)
Soldering Method Vapour phase, infrared, wave soldering —
MSL لیول 1 —
Lead-Free Yes (Pb-free per TRPBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں