IRFB3207ZPBF vs IRF3205ZSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon اور IRF3205ZSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB3207ZPBF IRF3205ZSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm 6.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55C to +175C
پیکیج TO-220AB (3-lead through-hole) D2PAK (TO-263)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL لیول N/A (through-hole) 1
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Packaging — Tape & Reel (left reel)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں