IRFB3207ZPBF vs IRFB4020PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon اور IRFB4020PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB3207ZPBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRFB3207ZPBF | — |
| Series | HEXFET | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 120 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 170 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.1 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | 175 C (max) |
| پیکیج | TO-220AB (3-lead through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | — |
| MSL لیول | N/A (through-hole) | — |
| Avalanche Rated | Yes (improved Z-variant ruggedness) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |