IRFP3710PBF vs IRFB3207ZPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFP3710PBF بذریعہ Infineon اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFP3710PBF IRFB3207ZPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET, Fifth Generation HEXFET
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 57 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 200 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) Max 25 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge (Qg) Typical 66.7 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (Tj) —
پیکیج TO-247AC (3-pin + tab) TO-220AB (3-lead through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Avalanche Rating Fully Avalanche Rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt Rated —
Lead-Free Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
MSL لیول — N/A (through-hole)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں